美国RFMD芯片公司 RF Micro Devices 成立于1991，总公司座落在北卡罗来纳州 (Greensboro, NC)，1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%，由一群射频设计之专业研发团队所成立，设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路( RF Integrate Circuit) 设计经验平均年资超过25年以上，设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术，例如：AlGaAs、HBT SiGe、BiCMOS、GaN、GaAs pHEMT、InGaP HBT...等，堪称世界一流的射频集成电路设计公司。 本于对产品的价格竞争、品质要求、技术创新，该公司目前有8个设计中心， 6个分处位于美国、1个位于加拿大（Canada）、1个位于丹麦（Denmark）， 成立至今，已拥有之客户都是全球一流公司，例如：Nokia, Motorola, Samsung, Sony-Ericsson, Sony, Kyocera, Siemens, Fujitsu, Cisco, 3COM, HP, Delphi, Maxon...等。 目前，提供市场应用的产品，区分为四大领域： 手持式行无线移动装置(Wireless Handsets) 无线局域网络 (WLAN802.11A/B/G) 基础通讯设备(Wireless Infrastructure) 篮牙与全球定位系统装置(Bluetooth & GPS)应用
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